中国电子学家王守武
2019-09-14 10:46:55 来源：搜集编写 作者：周大荣 评论：0 点击：
王守武，中国半导体电子学家、物理学家、半导体电子技术的开拓者与奠基人、中国科学院院士。曾获全国劳动模范称号，中国科学院科研成果一等奖。
王守武，中国半导体电子学家、物理学家、半导体电子技术的开拓者与奠基人、中国科学院院士。曾获全国劳动模范称号，中国科学院科研成果一等奖。
王守武，1919年3月15日出生于江苏省苏州市东山镇一个名门世家，祖父王颂蔚是晚清进士，著名历史学家、文学家；祖母谢长达是著名的女权运动先驱、教育家，曾组织成立放足会，宣传妇女解放，创办振华女校。王守武的父辈个个学有所长，几乎都是中国近代科学开创性人物，父亲王季同是当时有名的电气工程师。王守武在孩童时代曾被疟疾纠缠，身体状况不好，智力一度受到影响。
1923年，父亲王季同赴上海与他人合股开办机械厂，王守武随家人迁居上海。不到两年工厂倒闭，家里分得不少机械加工工具，使王守武在家有条件学会钳工和配钥匙、修理家庭用具、绕制变压器等技艺，培养和磨练了动手能力。1934年，因父亲王季同留恋故乡情，举家又迁回苏州，王守武随之转入江苏省苏州中学学习。1935年，考入上海同济大学预科，次年进入同济大学工学院电工机械系学习。在同济大学期间，各门功课的学习成绩优异。
1941年春天，王守武在昆明郊外的同济大学临时校舍里毕业后，就近在昆明加入兄长王守竞任总经理的中央机器厂当了公务员。一年后，加入中国工合翻砂实验工厂任工务主任。不久自感不适合从事工厂管理工作，申请重回母校，在迁往四川宜宾李庄镇的同济大学任教。
1945年10月，王守武横渡大洋，进入美国印第安那州普渡大学研究生院攻读工程力学，导师R·M·Sturm，翌年6月荣获硕士学位。王守武各门功课优异，尤以数学成绩最好，受到老师和同学们的赞赏。校方为鼓励王守武继续深造，资助他攻读博士学位。两年后完成了题为《一种计算金属钠的结合能和压缩率的新方法》的论文，获得博士学位。后经普渡大学工程力学系主任的诚聘，留校执教，与同在普渡大学留学的葛修怀女士组成了温馨的家庭。
1950年10月，王守武一家通过印度大使馆办理了难民证，乘船经香港回到中国。回国初期，应聘在中科院应用物理研究所工作，先后完成了西藏地区生活用太阳灶设计，抗美援朝志愿军夜间行车防空袭车灯设计，还组建了应用物理所电学组。
1954年，王守武与同期归国的专家一起合作翻译了苏联半导体权威学者A·F·约飞写的《近代物理学中的半导体》一书，1955年由科学出版社出版。1956年，全身心地投入到半导体的研究工作中，组成了中国科学院应用物理所中中国第一个半导体研究室。1956-1957年，兼任清华大学无线电系半导体教研室主任。1960年2月，王守武加入了中国共产党。
1960年9月，中国科学院半导体研究所成立，王守武任研究员、首任主管业务的副所长，负责全所的科研业务管理和开拓分支学科的组建工作。1962年，在半导体所筹建全国半导体测试中心，兼任该中心主任。
1966年，正当王守武为发展中国半导体科学事业，全力以赴地奉献自己的聪明才智时，“文化大革命”开始了，王守武被解除了领导职务，处于被监督劳动的屈辱境地，但对所从事的科学事业毫不忘情，留在研究室帮助改革工具，修理仪器，设计研制成功了激光发散角分布测试仪。
1978年10月，王守武全面负责4千位的MOS随机存储器这一大规模集成电路的研究。从稳定工艺入手，跟着片子的流程，对工艺线的每道工序进行认真细致的检查，详尽地订出各自的操作规程。先从研制难度不大的256位中规模集成电路入手，以检验工艺流程的稳定性和可靠性。1979年9月，4千位集成电路的批量成品率达20%以上，最高达40%，是当时国内大规模集成电路研制中前所未有的最高水平。主持研制成功中国第一只砷化镓半导体激光器；主持研制成功16千位的DRAM大规模集成电路。1979年底，荣获全国劳动模范光荣称号。
1980年3月，王守武兼任中科院109厂厂长。1980年，当选为中科院学部委员（院士），任《半导体学报》主编。1979年和1981年获得中科院科研成果一等奖；1985年2次、1990年1次获中科院科技进步奖二等奖；1987年获国家科技进步奖二等奖。是第三、四届全国人大代表，第五、六、七届全国政协委员。
2014年7月30日，王守武在美国逝世，享年95岁。2014年底，王守武家属王义向、王义格根据遗愿捐赠人民币150万元和美元60万元，奖励中国科学院微电子研究所和半导体研究所的优秀研究生。
